지난 수십 년 동안, CMOS 트랜지스터 성능 향상을 위해 소자 크기를 축소시키는 것에 집중해 왔다. 하지만 실리콘(Si) 기반의 트랜지스터의 물리적인 한계점에 도달함에 따라 새로운 소재를 활용한 트랜지트서에 대한 필요성이 점차 강조되고 있다. 물리적 한계를 FinFet 공정을 사용하여 한 단계의 벽을 넘었지만, 실리콘 자체의 특성 때문에 맞이하는 또 다른 벽에 곧 다다를 것이다.이미지 출처 : https://www.researchgate.net/figure/259580266_fig1_Figure-1-A-single-CNFET-Scanning-electron-microscopy-SEM-image-shows-gate-and-channel 이미 많은 연구가 진행되고 있는 CNT (Carbon nanotube..
